우리 대학 지능형 반도체&디스플레이 연구실(지도교수: 김동명, 김대환, 최성진, 배종호) 의 박진규 석박통합과정 (대학원 전자공학부)과 최성주 박사 (현 LG display)가 "IGZO 박막 트랜지스터"의 열화 메커니즘을 산소 모델을 기반으로 분석을 수행하여 저명 국제 학술지인 Advanced Electronic Materials (impact factor:7.633) 2022년 5월 17일자 논문의 표지 논문으로 발표되었다.
논문명은 "Excessive Oxygen Peroxide Model-Based Analysis of Positive-Bias-Stress and Negative-Bias-Illumination-Stress Instabilities in Self-Aligned Top-Gate Coplanar In–Ga–Zn–O Thin-Film Transistors" 이다.
연구팀은 서로 다른 산소 함유량을 가진 IGZO 박막 트랜지스터 (Thin-Film-Transistor)의 양전압 열화 (PBS:Positive bias stress) 및 광조건에서의 음전압 열화 (NBIS:Negative bias illumination stress)의 물리/전기적 원인을 과산소 모델을 반영하여 분석하였다.
기존 대다수 연구들이 산소 공공 (oxygen vacancy) 모델을 사용하여 분석하였으나, 본 연구에서 처음으로 상용 IGZO TFT 에서 PBS 및 NBIS 열화와 IGZO 채널의 산소량의 상관 관계를 규명하였다는 데에 큰 의의가 있다. 연구 성과는 LG Display와 21BK사업의 지원으로 수행되었다.
siLK 최성주 학생 siLK 박진규 학생
